fm - rf fet, mrf, blof

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    300W/50V/1W Antrieb

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    Bessere Effizienz, mehr Gewinn und mehr Leistung als die BLF278 und MRF151M. Dies ist derzeit das heißeste HF -MOSFET!

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    300W RF -Transistor (48 V)

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    Die VRF151G ist für Breitband -kommerzielle und militärische Anwendungen bei Frequenzen bis 175 MHz ausgelegt. Die Leistung mit hoher Leistung, hoher Verstärkung und Breitbandleistung dieses Geräts ermöglichen mögliche Feststaatssender für FM -Frequenzbänder oder TV -Kanal -Frequenzbänder

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    Der 250W FM Planar Pallet Verstärker ist ein hochwertiges RF-Modul, das für professionelle FM-Sendesysteme entwickelt wurde. Mit einem kompakten und effizienten Design auf Basis der Planartechnologie bietet dieser Verstärker zuverlässige Leistung und hohe Langlebigkeit.

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    Der 600W FM Pallet Amplifier (Mini Edition) bietet beeindruckende Leistung in einem kompakten Design. Mit modernster LDMOS-Technologie und effizienter Class-B-Push-Pull-Schaltung ist er ideal für professionelle FM-Sendesysteme.

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    Das 1000W Planar FM Pallet BLF188XR ist für hohe Leistung in FM-Sendungen entwickelt. Mit robusten Spezifikationen und einer effizienten Leistungsabgabe ist es eine ausgezeichnete Wahl für anspruchsvolle Rundfunkanwendungen.

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    NXP Semiconductors MRFX1K80 RF Power LDMOS Transistor 1800W nxp MRFX1K80 RF -Leistung LDMOS -Transistor kombiniert hohe HF -Ausgangsleistung, überlegene Robustheit und thermische Leistung. Der MRFX1K80 -Transistor ist so konzipiert, dass er 1800 W bei 65 V CW (kontinuierliche Welle) für Anwendungen von 1 MHz bis 470 MHz liefert und das Stehwellenverhältnis von 65: 1 Spannung (VSWR) umführen kann.

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    MRF300BN RF MOSFET-Transistoren RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW über 1,8-250 MHz, 50 V

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    MRF101BN RF MOSFET-Transistoren Breitband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW über 1,8-250 MHz, 50 V

    € 64,99
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    MRFX1K80GNR5 1800W RF MOSFET, Breitband -HF -Leistung LDMOS -Transistor

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